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[发明专利]晶圆清洗方法-CN201410074458.1在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，该方法包括：旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间。本发明通过改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间，使晶圆的中心点所受到的兆声波能量与晶圆的其他位置所受到的兆声波能量一致，避免了晶圆的中心点处的结构层在清洗过程中受到损伤或者在晶圆的中心产生凹坑。
清洗方法

[发明专利]晶圆清洗方法-CN201410074999.4在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，该方法包括：旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布本发明通过改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布，使晶圆的中心点所受到的兆声波能量与晶圆的其他位置所受到的兆声波能量一致，避免了晶圆的中心点处的结构层在清洗过程中受到损伤或者在晶圆的中心产生凹坑。
清洗方法

[发明专利]晶圆清洁方法-CN202210755276.5在审
发明人：孙宏;郑建辉;丁杰 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洁方法，包括将待清洗晶圆浸入晶圆清洁装置的超声清洗部内的清洗药液，超声清洗部生成超声波以清洁晶圆；自超声清洗部取出晶圆，将晶圆浸入晶圆清洁装置的兆声清洗部内的清洗药液，兆声清洗部生成兆声波以清洁晶圆；自兆声清洗部取出晶圆，将晶圆放入晶圆清洁装置的清洗槽，将晶圆冲洗干净。利用超声清洗部的清洗药液浸润晶圆，实现晶圆的化学清洗，同时利用超声波有效去除颗粒较大的污染物。随后利用兆声清洗部对晶圆进一步清洗，兆声清洗部的清洗药液可以再次对晶圆进行化学清洗，兆声波可以进一步有效去除颗粒较小的污染物，最后利用清洗槽对晶圆冲洗干净，从而充分、可靠地对晶圆完成清洁。
清洁方法

[发明专利]晶圆清洁装置-CN202210755712.9在审
发明人：孙宏;郑建辉;丁杰 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洁装置，包括：箱体、超声清洗部、清洗槽及兆声清洗部，超声清洗部用于盛装清洗药液，晶圆浸入清洗药液；超声清洗部还用于生成超声波以清洁晶圆，清洗槽用于冲洗或干燥晶圆。清洗槽设于超声清洗部与兆声清洗部之间，兆声清洗部用于盛装清洗药液；兆声清洗部还用于生成兆声波以清洁晶圆。晶圆可以先置于超声清洗部，利用清洗药液浸润，以实现化学清洗；利用超声波有效去除颗粒较大的污染物，随后利用兆声清洗部对晶圆进一步清洗，清洗药液可以再次对晶圆进行化学清洗，兆声波可以进一步有效去除颗粒较小的污染物，最后利用清洗槽对晶圆冲洗干净，从而充分、可靠地对晶圆完成清洁，避免污染物残留在晶圆上。
清洁装置

[发明专利]用于半导体清洗设备中的晶圆清洗方法及半导体清洗设备-CN202010346259.7在审
发明人：杨慧毓;吴仪 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于半导体清洗设备中的晶圆清洗方法及半导体清洗设备，所述方法包括：根据预设的工艺配方，判断当前清洗步骤是否需要进行兆声波清洗，如果判断结果为是，则根据所述工艺配方，确定所述当前清洗步骤对应的兆声波清洗模式，所述兆声波清洗模式包括兆声波调制周期以及与所述兆声波调制周期对应的兆声波占空比，执行所述当前清洗步骤，在根据所述工艺配方向晶圆表面输送清洗液的同时，根据确定的所述兆声波清洗模式向所述晶圆传输兆声波。通过本方法，可以在实现对晶圆的清洗的同时，避免对晶圆造成损伤。
用于半导体清洗设备中的方法

[发明专利]用于晶圆的兆声清洗装置-CN201110452447.9无效
发明人：路新春;徐海滨;李冉;周顺;何永勇 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆的兆声清洗装置。所述用于晶圆的兆声清洗装置包括：机架，所述机架内限定有容纳腔；支撑组件，所述支撑组件设在所述容纳腔内用于可旋转地支撑沿竖直方向定向的晶圆；第一兆声喷头和第二兆声喷头，所述第一兆声喷头和所述第二兆声喷头在所述晶圆的轴向上间隔开地设在所述容纳腔内以分别用于清洗所述晶圆的两个表面；和兆声喷头驱动件，所述兆声喷头驱动件设在所述机架上且与所述第一和第二兆声喷头相连以驱动所述第一兆声喷头和所述第二兆声喷头沿所述晶圆的径向平移。利用根据本发明实施例的用于晶圆的兆声清洗装置可以全面地、快速地清洗晶圆，并且可以将晶圆上的颗粒和化学药剂全部清洗掉，从而达到更好的清洗效果。
用于清洗装置

[发明专利]一种晶圆清洗方法-CN201910027349.7有效
发明人：刘小洁;尹影;李婷;高跃昕;刘宜霖;蒋锡兵;史超;田国军 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗方法，将CMP后的晶圆立即置于含有烷基醇聚氧乙烯醚的第一氨水溶液的表面活化槽中，使晶圆的球形缺陷吸附状态被控制在易清洗的物理吸附阶段，避免晶圆因为等待兆声清洗而暴露于空气中、产生化学吸附而难以清洗去除掉表面球形缺陷；将在表面活化槽中处理后的晶圆放入兆声清洗槽中进行兆声清洗，使兆声清洗效应发挥最大效用，实现兆声清洗最大限度去除球形缺陷；将经过兆声清洗的晶圆分别经过第一刷洗槽、第二刷洗槽清洗，进一步刷洗掉晶圆表面的球形颗粒、去除其稳定粘附性，最后再经过旋转湿润干燥槽清洗并吹干后得到最终晶圆。使用该清洗方法可以有效去除晶圆在化学机械平坦化后形成的球形缺陷。
一种清洗方法

[发明专利]晶圆清洗方法及晶圆清洗装置-CN201910300141.8在审
发明人：史进 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置，其中，晶圆清洗方法包括：采用酸性清洗液对晶圆进行清洗，将清洗后的所述晶圆置于容纳有超纯水的冲洗槽中，同时，向所述冲洗槽施加兆声波以去除所述晶圆表面的颗粒。根据本发明实施例的晶圆清洗方法，根据颗粒的电动电位由正变为负时，向冲洗槽施加兆声波，从而将超纯水与兆声波结合的方式高效的去除晶圆表面的颗粒，提高晶圆的清洗效果。
晶圆清洗冲洗槽兆声波晶圆晶圆清洗装置清洗晶圆表面超纯水去除施加酸性清洗液电动电位清洗效果种晶容纳

[发明专利]一种晶圆加工用兆声清洗机-CN202211094781.6有效
发明人：贺贤汉;赖章田;陈有生;张城 -专利权人：上海申和投资有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体清洗技术领域，具体是涉及一种晶圆加工用兆声清洗机包括容纳壳、晶圆夹具和角度调节组件，晶圆夹具包括固定半圆卡盘和活动半圆卡盘，固定半圆卡盘内设有若干个驱动转轮，活动半圆卡盘内设有若干个弹性转轮，角度调节组件包括两个水平夹臂，每个水平夹臂上均设有一个滑块，每个滑块上均设有兆声清洗头，本装置采用两个相互铰接且夹角可控的水平夹臂来引导兆声清洗头进行位移，通过二号电机来驱动移动块带动两个连杆牵引两个水平夹臂逐渐展开，那么兆声清洗头越往晶圆的中心处位移，兆声清洗头与晶圆侧面之间的距离越远，确保了晶圆的中心处不会集中受到兆声清洗头发出的能量而受损。
一种晶圆加工用清洗

[发明专利]一种兆声波晶圆清洗槽-CN202211617091.4在审
发明人：刘大威;廖世保;卢证凯;徐铭;李盼盼;吕方毅;刘传龙 -专利权人：上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种兆声波晶圆清洗槽，包括槽体以及设于所述槽体内的晶圆托架，所述槽体内注入有清洗液，所述晶圆托架上放置间隔分布的晶圆片并使所述晶圆片浸泡在所述清洗液中，所述槽体的底部设置有位于所述晶圆托架下方的兆声波发生装置以及惰性气体输出起泡管本发明的兆声波晶圆清洗槽用于清洗晶圆片具有提高晶圆片表面清洗均匀度和清洗效率的优点，有利于提高晶圆片的品质。
一种声波清洗

[发明专利]用于可移动兆声晶圆喷头的装置和方法-CN201210027831.9有效
发明人：张简瑛雪;古绍延;叶明熙;杨棋铭;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶圆表面上方移动的同时，将液体施加给晶圆表面。在其他实施例中，方法包括：提供用于将兆声能量施加给晶圆表面的换能器。公开了包括可移动兆声晶圆喷头的装置实施例。
用于移动兆声晶圆喷头装置方法

[发明专利]兆声波清洗方法、装置及兆声波清洗设备-CN201910034157.9有效
发明人：李嘉浪;周庆亚;田洪涛;张金环;杨旭;李婷;蒋锡兵 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种兆声波清洗方法、装置及兆声波清洗设备，属于兆声波清洗技术领域。本发明实施例提供的兆声波清洗方法、装置及兆声波清洗设备，当兆声波清洗设备对晶圆清洗时，兆声波清洗设备的控制器获取兆声喷头的设定参数，根据设定参数确定运行区域，并根据设定参数中的分区数及时间比例确定兆声喷头在每一个分区内的运行时间，根据兆声喷头在每个分区的运行时间拟合兆声喷头在每个分区内的运行轨迹，兆声波清洗设备的控制器即可控制兆声喷头以此运行轨迹，对从设定的运行起点到运行终点这一特定区域的进行特别清洗，从而提高了对晶圆的清洗效果
声波清洗方法装置设备

[发明专利]一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置-CN201610741151.1有效
发明人：滕宇;吴仪 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置，在本体内设有超声波/兆声波发生机构和底部石英部件，超声波/兆声波发生机构设有压电材料，底部石英部件设有石英微共振腔阵列，石英微共振腔阵列自本体下端面的开口伸出，可通过石英微共振腔阵列对传播方向与晶圆表面方向不垂直的超声波/兆声波能量进行选择性去除，并通过超声波/兆声波能量控制单元根据实时位置反馈单元从喷淋臂旋转电机采集的本体在晶圆表面的相对位置信息，对信号源输出电信号进行调整，经压电材料转换后，使晶圆表面的任意位置在单位时间内获得同样的超声波/兆声波能量，从而实现整个晶圆范围内超声波/兆声波能量的均匀分布。
一种能量均匀分布超声波声波清洗装置

[发明专利]清洗装置及半导体晶圆清洗设备-CN201811445034.6有效
发明人：赵宁;史霄;尹影;佀海燕 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体清洗技术领域，尤其是涉及一种清洗装置及半导体晶圆清洗设备。该清洗装置包括支撑架、兆声清洗组件和驱动装置；支撑架上设置有支撑臂，兆声清洗组件位于支撑臂上，驱动装置用于驱动兆声清洗组件沿支撑臂的长度方向往复运动；支撑臂的长度方向与待清洁物的表面之间成角度设置，兆声清洗组件的运动起点与待清洁物的表面之间的垂直距离小于兆声清洗组件的运动终点与待清洁物的表面之间的垂直距离本申请的清洗装置解决了兆声清洁设备在越靠近晶圆边缘的地方能量密度越低，清洗不彻底；而在靠近晶圆中心的地方声波能量集中，严重时会导致晶圆中心结构损伤，在清洗介质层时甚至会产生凹坑现象的技术问题。
清洗装置半导体设备

[发明专利]用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法-CN202011258275.7有效
发明人：宋维聪;周云;严俊;崔世甲 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种用于填充高深宽比深孔的兆声波辅助薄膜沉积设备及方法，用于填充深宽比大于5的深孔。设备包括腔体、基座、支撑轴、兆声波换能器、兆声波传递层及兆声波隔绝密封环；基座、兆声波换能器及兆声波传递层均位于腔体内；基座、兆声波换能器及兆声波传递层的中心点位于同一垂线上；兆声波换能器位于基座内，兆声波传递层贴置于兆声波换能器的上表面，晶圆位于兆声波传递层的上方；支撑轴与基座相连接，且自腔体内部延伸到腔体外部；兆声波隔绝密封环位于腔体与支撑轴之间，以在实现腔体密封的同时避免兆声波传递到腔体上。本发明有助于提高深孔填充的均匀性和效率，避免对晶圆表面造成损伤，有助于提高器件可靠性。
用于填充高深声波辅助薄膜沉积设备方法

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